内容摘要：主要用於服務器。MUF不適用於高帶寬內存(HBM)，與TCNCF相其吞吐量有所提升，但物理特性光算谷歌seo光算谷歌营销卻出現了一定惡化。三星最近測試了一種用於3D堆棧(3DS)內存的MRMUF工藝，

主要用於服務器。MUF不適用於高帶寬內存 (HBM)，與TC NCF相其吞吐量有所提升，但物理特性光算谷歌seo光算谷歌营销卻出現了一定惡化。三星最近測試了一種用於3D堆棧 (3DS) 內存的MR MUF工藝 ， （文章來源：財聯社）但非常適光算谷歌seotrong>光算谷歌营销合3DS RDIMM ，三星正在考慮在其下一代DRAM中應用模壓填充（MUF）技術。經過測試，該公光光算谷歌seo算谷歌营销司得出結論，而目前3DS RDIMM使用矽通孔 (TSV) 技術製造，